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IRF830LPBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3

não conforme

IRF830LPBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.22656 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 610 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

NTD4809NHT4G
NTD4809NHT4G
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NVMFS6H836NT1G
NVMFS6H836NT1G
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NVMFS5C645NLAFT3G
NVMFS5C645NLAFT3G
$0 $/pedaço
APT14F100S
APT14F100S
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FDP047AN08A0
FDP047AN08A0
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IXFP7N100P
IXFP7N100P
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BUK9514-55A,127
BUK9514-55A,127
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