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NP16N06YLL-E1-AY

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NP16N06YLL-E1-AY

ABU / MOSFET

compliant

NP16N06YLL-E1-AY Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
2355 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 27.3W (Tc)
temperatura de operação 175°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSON
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
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Número da peça relacionada

DMP45H21DHE-13
RRL025P03TR
RRL025P03TR
$0 $/pedaço
IPB50CN10NGATMA1
ISC0805NLSATMA1
NVMFS5C646NLAFT3G
NVMFS5C646NLAFT3G
$0 $/pedaço
SI3447CDV-T1-E3
IXTA300N04T2-7
IXTA300N04T2-7
$0 $/pedaço

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