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IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

compliant

IPB50CN10NGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1090 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 44W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

ISC0805NLSATMA1
NVMFS5C646NLAFT3G
NVMFS5C646NLAFT3G
$0 $/pedaço
SI3447CDV-T1-E3
IXTA300N04T2-7
IXTA300N04T2-7
$0 $/pedaço
NVMTS0D7N04CTXG
NVMTS0D7N04CTXG
$0 $/pedaço
STW65N80K5
STW65N80K5
$0 $/pedaço
TN0702N3-G
TN0702N3-G
$0 $/pedaço
DMN62D1LFB-7B
RM12N100LD
RM12N100LD
$0 $/pedaço
IPA60R199CPXKSA1

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