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TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

não conforme

TPH4R008NH,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.27400 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5300 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IXFP130N10T2
IXFP130N10T2
$0 $/pedaço
APT75M50L
APT75M50L
$0 $/pedaço
SQD23N06-31L_GE3
XP232N03013R-G
FQP4P40
FQP4P40
$0 $/pedaço
IXFH80N65X2
IXFH80N65X2
$0 $/pedaço
NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G
$0 $/pedaço
AUIRFR3504ZTRL
IPP60R099C6XKSA1

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