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TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

não conforme

TPH2R506PL,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.95900 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5435 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 132W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRFR9020PBF
IRFR9020PBF
$0 $/pedaço
FQU2N60TU
QS6U22TR
QS6U22TR
$0 $/pedaço
RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
$0 $/pedaço
STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/pedaço
STP60NF06FP
STP60NF06FP
$0 $/pedaço
SI7108DN-T1-E3
SI7108DN-T1-E3
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DMP2104V-7
DMP2104V-7
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