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BSB280N15NZ3GXUMA1

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MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON

não conforme

BSB280N15NZ3GXUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.12398 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta), 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 60µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
pacote / caixa 3-WDSON
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Número da peça relacionada

IRFR9020PBF
IRFR9020PBF
$0 $/pedaço
FQU2N60TU
QS6U22TR
QS6U22TR
$0 $/pedaço
RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
$0 $/pedaço
STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/pedaço
STP60NF06FP
STP60NF06FP
$0 $/pedaço
SI7108DN-T1-E3
SI7108DN-T1-E3
$0 $/pedaço
DMP2104V-7
DMP2104V-7
$0 $/pedaço
IRFP460APBF
IRFP460APBF
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DMN62D0UW-7
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