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TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

compliant

TK8Q65W,S1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.56000 $1.56
7 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 670mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 300µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 300 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

RM3401
RM3401
$0 $/pedaço
IRF4905LPBF
SQJ488EP-T1_GE3
DMN601TK-7
DMN601TK-7
$0 $/pedaço
IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3
$0 $/pedaço
STW6N90K5
STW6N90K5
$0 $/pedaço
IRFR3710ZTRLPBF

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