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TK28N65W,S1F

TK28N65W,S1F

TK28N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

não conforme

TK28N65W,S1F Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.71000 $5.71
30 $4.59000 $137.7
120 $4.18200 $501.84
510 $3.38639 $1727.0589
1,020 $2.85600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 1.6mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3000 pF @ 300 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 230W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IPP65R125C7XKSA1
FCPF250N65S3R0L-F154
FCPF250N65S3R0L-F154
$0 $/pedaço
NVTFS5C460NLWFTAG
NVTFS5C460NLWFTAG
$0 $/pedaço
IRFBG20PBF
IRFBG20PBF
$0 $/pedaço
IXTP4N80P
IXTP4N80P
$0 $/pedaço
FDMC8321LDC
FDMC8321LDC
$0 $/pedaço
SI7619DN-T1-GE3
RM10N30D2
RM10N30D2
$0 $/pedaço

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