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SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8

compliant

SI7619DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1350 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

RM10N30D2
RM10N30D2
$0 $/pedaço
ISL9N303AS3ST
FQB9N50TM
IRFB4127PBF
2V7002KT1G
2V7002KT1G
$0 $/pedaço
DI040P04D1-AQ
FDZ7064S
NTE2371
NTE2371
$0 $/pedaço

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