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STP200N6F3

STP200N6F3

STP200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

não conforme

STP200N6F3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.76738 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 330W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPU06N03LB G
IRF7204
IRF7204
$0 $/pedaço
IPI14N03LA
FQB2N60TM
FQB2N60TM
$0 $/pedaço
SI1072X-T1-GE3
SI1072X-T1-GE3
$0 $/pedaço
NVMFS5C450NLAFT3G
NVMFS5C450NLAFT3G
$0 $/pedaço
IXFH80N06
IXFH80N06
$0 $/pedaço
BUK7907-55ATE,127

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