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FQB2N60TM

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

não conforme

FQB2N60TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 64W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI1072X-T1-GE3
SI1072X-T1-GE3
$0 $/pedaço
NVMFS5C450NLAFT3G
NVMFS5C450NLAFT3G
$0 $/pedaço
IXFH80N06
IXFH80N06
$0 $/pedaço
BUK7907-55ATE,127
IRFR9024TRL
IRFR9024TRL
$0 $/pedaço
NTB18N06LG
NTB18N06LG
$0 $/pedaço
IPP065N04N G
FQD3P50TM-F085
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STD2NK70ZT4
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