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STL11N60M2-EP

STL11N60M2-EP

STL11N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

compliant

STL11N60M2-EP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.03850 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (5x6) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRF5210SPBF
RTQ020N05TR
RTQ020N05TR
$0 $/pedaço
SIS330DN-T1-GE3
FQPF3N30
FQPF3N30
$0 $/pedaço
APT7F80K
APT7F80K
$0 $/pedaço
IRFPS38N60LPBF
IRFPS38N60LPBF
$0 $/pedaço
ZXMN3A02X8TA
STW6N120K3
STW6N120K3
$0 $/pedaço
SI5402BDC-T1-GE3

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