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SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

compliant

SI5402BDC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
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Número da peça relacionada

IRF6635TR1PBF
NTK3142PT5G
NTK3142PT5G
$0 $/pedaço
SI9424BDY-T1-E3
DMG6968UQ-7
DMG6968UQ-7
$0 $/pedaço
IRF3711ZCSTRRP
NTMFS4821NT3G
NTMFS4821NT3G
$0 $/pedaço
FQP10N60C
BSP372 E6327

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