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STL10N60M2

STL10N60M2

STL10N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56

compliant

STL10N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.23113 -
6,000 $1.19070 -
36 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 660mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 400 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (5x6) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

FQB7P06TM
IXFA14N60P-TRL
IXFA14N60P-TRL
$0 $/pedaço
SIHA24N80AE-GE3
STB10N60M2
STB10N60M2
$0 $/pedaço
HUF76132S3S
NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G
$0 $/pedaço
IPD060N03LGBTMA1

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