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SIHA24N80AE-GE3

SIHA24N80AE-GE3

SIHA24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

não conforme

SIHA24N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.62000 $3.62
500 $3.5838 $1791.9
1000 $3.5476 $3547.6
1500 $3.5114 $5267.1
2000 $3.4752 $6950.4
2500 $3.439 $8597.5
959 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1836 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STB10N60M2
STB10N60M2
$0 $/pedaço
HUF76132S3S
NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G
$0 $/pedaço
IPD060N03LGBTMA1
NTB8N50
NTB8N50
$0 $/pedaço
FDS7766S
IXTT140P10T
IXTT140P10T
$0 $/pedaço
APTC60SKM24T1G

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