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STH3N150-2

STH3N150-2

STH3N150-2

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK

não conforme

STH3N150-2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.78357 -
2,000 $2.65968 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 939 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 140W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor H²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
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Número da peça relacionada

STW10N105K5
STW10N105K5
$0 $/pedaço
RCD041N25TL
RCD041N25TL
$0 $/pedaço
DN3545N8-G
DN3545N8-G
$0 $/pedaço
NVMFS5H600NLT1G
NVMFS5H600NLT1G
$0 $/pedaço
SI2369BDS-T1-GE3
BUK762R6-60E,118
IRLU8743PBF
ISL9N306AD3ST
IRFR1N60ATRLPBF
NTLGF3402PT1G
NTLGF3402PT1G
$0 $/pedaço

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