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ISL9N306AD3ST

ISL9N306AD3ST

ISL9N306AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

ISL9N306AD3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
8371 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFR1N60ATRLPBF
NTLGF3402PT1G
NTLGF3402PT1G
$0 $/pedaço
NTD60N02R-35G
NTD60N02R-35G
$0 $/pedaço
FDS6690S
5LN01M-TL-E
5LN01M-TL-E
$0 $/pedaço
APT56M60L
APT56M60L
$0 $/pedaço
IRFR5410TRRPBF
DMN2040UVT-7
MVMBF0201NLT1G
MVMBF0201NLT1G
$0 $/pedaço
FDV303N
FDV303N
$0 $/pedaço

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