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STD8N60DM2

STD8N60DM2

STD8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

compliant

STD8N60DM2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.70930 -
5,000 $0.67773 -
12,500 $0.65518 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 375 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 85W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SIA427ADJ-T1-GE3
FDD8750
FDD8750
$0 $/pedaço
FQU10N20LTU
IXTA64N10L2-TRL
IXTA64N10L2-TRL
$0 $/pedaço
RTF016N05TL
RTF016N05TL
$0 $/pedaço
NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF
$0 $/pedaço
IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
$0 $/pedaço
SI1424EDH-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3

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