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SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA427ADJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
1650 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2300 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

FDD8750
FDD8750
$0 $/pedaço
FQU10N20LTU
IXTA64N10L2-TRL
IXTA64N10L2-TRL
$0 $/pedaço
RTF016N05TL
RTF016N05TL
$0 $/pedaço
NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF
$0 $/pedaço
IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
$0 $/pedaço
SI1424EDH-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3
NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G
$0 $/pedaço

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