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STB7ANM60N

STB7ANM60N

STB7ANM60N

MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

compliant

STB7ANM60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.57080 -
2,000 $1.47400 -
5,000 $1.42560 -
1167 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 363 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STF7N90K5
STF7N90K5
$0 $/pedaço
IXFX150N30P3
IXFX150N30P3
$0 $/pedaço
SI2308CDS-T1-GE3
SI6415DQ-T1-BE3
APT12057LFLLG
IXFA4N85X
IXFA4N85X
$0 $/pedaço
NVMFS6H858NWFT1G
NVMFS6H858NWFT1G
$0 $/pedaço
PMCXB1000UE147
PMCXB1000UE147
$0 $/pedaço
IRLL014TRPBF-BE3

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