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SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

compliant

SI2308CDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.12160 -
6,000 $0.11462 -
15,000 $0.10763 -
30,000 $0.09925 -
75,000 $0.09576 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 144mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 105 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

SI6415DQ-T1-BE3
APT12057LFLLG
IXFA4N85X
IXFA4N85X
$0 $/pedaço
NVMFS6H858NWFT1G
NVMFS6H858NWFT1G
$0 $/pedaço
PMCXB1000UE147
PMCXB1000UE147
$0 $/pedaço
IRLL014TRPBF-BE3
NTMFS5C468NLT3G
NTMFS5C468NLT3G
$0 $/pedaço
DMN2710UTQ-13
NTD3055-150-1G
NTD3055-150-1G
$0 $/pedaço

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