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STB36NM60ND

STB36NM60ND

STB36NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

não conforme

STB36NM60ND Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.95997 -
2,000 $3.78372 -
969 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2785 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

RM5N700IP
RM5N700IP
$0 $/pedaço
NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S
$0 $/pedaço
P3M06120T3
STL31N65M5
STL31N65M5
$0 $/pedaço
IXFN32N120
IXFN32N120
$0 $/pedaço
STU3N62K3
STU3N62K3
$0 $/pedaço
BUK9606-55A,118
HUF76137P3

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