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P3M06120T3

P3M06120T3

P3M06120T3

SICFET N-CH 650V 29A TO-220-3

compliant

P3M06120T3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $9.05000 $9.05
500 $8.9595 $4479.75
1000 $8.869 $8869
1500 $8.7785 $13167.75
2000 $8.688 $17376
2500 $8.5975 $21493.75
10 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 158mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 5mA (Typ)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +20V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 153W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-2L
pacote / caixa TO-220-2
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Número da peça relacionada

STL31N65M5
STL31N65M5
$0 $/pedaço
IXFN32N120
IXFN32N120
$0 $/pedaço
STU3N62K3
STU3N62K3
$0 $/pedaço
BUK9606-55A,118
HUF76137P3
IRL3705NPBF
FDS8433A-G
STF5N80K5
STF5N80K5
$0 $/pedaço
PSMN2R5-40YLDX

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