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STB33N60M2

STB33N60M2

STB33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

não conforme

STB33N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.42200 -
2,000 $2.31420 -
5,000 $2.23720 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1781 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQPF5N30
APT34F60S
APT34F60S
$0 $/pedaço
IPW50R250CPFKSA1
SI2319DS-T1-BE3
STH270N8F7-6
STH270N8F7-6
$0 $/pedaço
STN4NF20L
STN4NF20L
$0 $/pedaço
SI1416EDH-T1-GE3
IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3

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