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IPI072N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

não conforme

IPI072N10N3GXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $1.56444 $782.22
500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4910 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

STN4NF20L
STN4NF20L
$0 $/pedaço
SI1416EDH-T1-GE3
IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3
NVMJS1D0N04CTWG
NVMJS1D0N04CTWG
$0 $/pedaço
SCT3040KLGC11
FQB3N60CTM
FDD6670A
FDD6670A
$0 $/pedaço
IRF9510PBF
IRF9510PBF
$0 $/pedaço
DMT6011LSS-13

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