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FQB3N60CTM

FQB3N60CTM

FQB3N60CTM

MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

não conforme

FQB3N60CTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.61000 $0.61
500 $0.6039 $301.95
1000 $0.5978 $597.8
1500 $0.5917 $887.55
2000 $0.5856 $1171.2
2500 $0.5795 $1448.75
1376 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 565 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDD6670A
FDD6670A
$0 $/pedaço
IRF9510PBF
IRF9510PBF
$0 $/pedaço
DMT6011LSS-13
2SK2628LS
2SK2628LS
$0 $/pedaço
SI7716ADN-T1-GE3
P3M171K2K3
CSD17303Q5
CSD17303Q5
$0 $/pedaço
PHP79NQ08LT,127
FDB86566-F085
FDB86566-F085
$0 $/pedaço

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