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FDB86566-F085

FDB86566-F085

FDB86566-F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

compliant

FDB86566-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.44949 $1159.592
1,600 $1.33023 -
2,400 $1.23849 -
5,600 $1.19262 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6655 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 176W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQP3N80C
FQP3N80C
$0 $/pedaço
NTMD4884NFR2G
NTMD4884NFR2G
$0 $/pedaço
SIHK125N60E-T1-GE3
NTMFS5C628NT1G
NTMFS5C628NT1G
$0 $/pedaço
FDPF770N15A
FDPF770N15A
$0 $/pedaço
DMP2120U-13
DMP2120U-13
$0 $/pedaço
IRF1010ZSPBF
SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3
$0 $/pedaço
STP80NF03L-04
FDS4465
FDS4465
$0 $/pedaço

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