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SIHK125N60E-T1-GE3

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SIHK125N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

não conforme

SIHK125N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.47000 $5.47
500 $5.4153 $2707.65
1000 $5.3606 $5360.6
1500 $5.3059 $7958.85
2000 $5.2512 $10502.4
2500 $5.1965 $12991.25
50 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1811 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 132W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK®10 x 12
pacote / caixa 8-PowerBSFN
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Número da peça relacionada

NTMFS5C628NT1G
NTMFS5C628NT1G
$0 $/pedaço
FDPF770N15A
FDPF770N15A
$0 $/pedaço
DMP2120U-13
DMP2120U-13
$0 $/pedaço
IRF1010ZSPBF
SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3
$0 $/pedaço
STP80NF03L-04
FDS4465
FDS4465
$0 $/pedaço
SISS05DN-T1-GE3
STP9NK60Z
STP9NK60Z
$0 $/pedaço
RQ6E045SNTR
RQ6E045SNTR
$0 $/pedaço

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