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STB25N80K5

STB25N80K5

STB25N80K5

MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK

compliant

STB25N80K5 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $6.38175 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 260mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQJ479EP-T1_BE3
BSS138W-7-F
BSS138W-7-F
$0 $/pedaço
SI7454FDP-T1-RE3
SI7611DN-T1-GE3
DMP3045LVT-7
STD7N60M2
STD7N60M2
$0 $/pedaço
DMN3016LFDF-7
BUK7Y59-60EX
BUK7Y59-60EX
$0 $/pedaço

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