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SQJ479EP-T1_BE3

SQJ479EP-T1_BE3

SQJ479EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

não conforme

SQJ479EP-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.29000 $1.29
500 $1.2771 $638.55
1000 $1.2642 $1264.2
1500 $1.2513 $1876.95
2000 $1.2384 $2476.8
2500 $1.2255 $3063.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BSS138W-7-F
BSS138W-7-F
$0 $/pedaço
SI7454FDP-T1-RE3
SI7611DN-T1-GE3
DMP3045LVT-7
STD7N60M2
STD7N60M2
$0 $/pedaço
DMN3016LFDF-7
BUK7Y59-60EX
BUK7Y59-60EX
$0 $/pedaço
FQD4P25TM-WS
FQD4P25TM-WS
$0 $/pedaço

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