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STB20NM60D

STB20NM60D

STB20NM60D

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

compliant

STB20NM60D Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.63300 -
382 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 192W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFK80N65X2
IXFK80N65X2
$0 $/pedaço
SQ2310ES-T1_GE3
IXFR44N50P
IXFR44N50P
$0 $/pedaço
FQB17N08TM
UJ4C075060K4S
UJ4C075060K4S
$0 $/pedaço
BSP129L6906
IRFS240B
IPP80N06S2-09
FDN306P
FDN306P
$0 $/pedaço

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