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SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

compliant

SQ2310ES-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.32036 -
6,000 $0.29957 -
15,000 $0.28917 -
30,000 $0.28350 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 485 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IXFR44N50P
IXFR44N50P
$0 $/pedaço
FQB17N08TM
UJ4C075060K4S
UJ4C075060K4S
$0 $/pedaço
BSP129L6906
IRFS240B
IPP80N06S2-09
FDN306P
FDN306P
$0 $/pedaço

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