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STB200N6F3

STB200N6F3

STB200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

não conforme

STB200N6F3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.51000 $5.51
500 $5.4549 $2727.45
1000 $5.3998 $5399.8
1500 $5.3447 $8017.05
2000 $5.2896 $10579.2
2500 $5.2345 $13086.25
292 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 330W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SISH112DN-T1-GE3
STW58N60DM2AG
IRFZ46ZSTRLPBF
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/pedaço
SPI12N50C3XKSA1
STF22N60DM6
STF22N60DM6
$0 $/pedaço
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/pedaço
SQS420EN-T1_GE3

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