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SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

não conforme

SISH112DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
91 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2610 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

STW58N60DM2AG
IRFZ46ZSTRLPBF
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/pedaço
SPI12N50C3XKSA1
STF22N60DM6
STF22N60DM6
$0 $/pedaço
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/pedaço
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/pedaço

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