Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SCTH40N120G2V7AG

SCTH40N120G2V7AG

SCTH40N120G2V7AG

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

compliant

SCTH40N120G2V7AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $22.35000 $22.35
500 $22.1265 $11063.25
1000 $21.903 $21903
1500 $21.6795 $32519.25
2000 $21.456 $42912
2500 $21.2325 $53081.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 18V
rds em (máx.) @ id, vgs 105mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 18 V
vgs (máx.) +22V, -10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1230 pF @ 800 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor H2PAK-7
pacote / caixa TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

NTP65N02R
NTP65N02R
$0 $/pedaço
SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3
$0 $/pedaço
RF4E070GNTR
RF4E070GNTR
$0 $/pedaço
STO47N60M6
STO47N60M6
$0 $/pedaço
FDMS8050
FDMS8050
$0 $/pedaço
TP2522N8-G
TP2522N8-G
$0 $/pedaço
IXFH50N60P3
IXFH50N60P3
$0 $/pedaço
STB8N90K5
STB8N90K5
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.