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RF4E070GNTR

RF4E070GNTR

RF4E070GNTR

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

compliant

RF4E070GNTR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14025 -
6,000 $0.13175 -
15,000 $0.12325 -
30,000 $0.11900 -
62 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21.4mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor HUML2020L8
pacote / caixa 8-PowerUDFN
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Número da peça relacionada

STO47N60M6
STO47N60M6
$0 $/pedaço
FDMS8050
FDMS8050
$0 $/pedaço
TP2522N8-G
TP2522N8-G
$0 $/pedaço
IXFH50N60P3
IXFH50N60P3
$0 $/pedaço
STB8N90K5
STB8N90K5
$0 $/pedaço
IRFP22N60KPBF
IRFP22N60KPBF
$0 $/pedaço
FQI5N80TU
APT80F60J
APT80F60J
$0 $/pedaço

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