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SCT20N120AG

SCT20N120AG

SCT20N120AG

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

compliant

SCT20N120AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $21.24000 $21.24
500 $21.0276 $10513.8
1000 $20.8152 $20815.2
1500 $20.6028 $30904.2
2000 $20.3904 $40780.8
2500 $20.178 $50445
554 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 239mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 20 V
vgs (máx.) +25V, -10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 650 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 153W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 200°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor HiP247™
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SQJ409EP-T1_GE3
NVTFS5116PLWFTWG
NVTFS5116PLWFTWG
$0 $/pedaço
APT40M70JVR
BSP129L6327
SIR826DP-T1-GE3
SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3
$0 $/pedaço
BUK9M5R0-40HX
BUK9M5R0-40HX
$0 $/pedaço
NVD6416ANT4G-VF01
NVD6416ANT4G-VF01
$0 $/pedaço
SQ3481EV-T1_BE3

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