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RUM003N02T2L

RUM003N02T2L

RUM003N02T2L

MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

não conforme

RUM003N02T2L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.09520 -
16,000 $0.08680 -
24,000 $0.08120 -
56,000 $0.07840 -
3625 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 300mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 300mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 25 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor VMT3
pacote / caixa SOT-723
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Número da peça relacionada

IRFB7440PBF
SI7390DP-T1-E3
SI7390DP-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFS4227TRLPBF
STH22N95K5-2AG
FQA15N70
NTD70N03RT4G
NTD70N03RT4G
$0 $/pedaço
RM8N650IP
RM8N650IP
$0 $/pedaço

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