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SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

não conforme

SI7390DP-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.36310 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFS4227TRLPBF
STH22N95K5-2AG
FQA15N70
NTD70N03RT4G
NTD70N03RT4G
$0 $/pedaço
RM8N650IP
RM8N650IP
$0 $/pedaço
MCU30N02-TP
MCU30N02-TP
$0 $/pedaço
5N20A
5N20A
$0 $/pedaço
FQPF18N20V2
IRF350
IRF350
$0 $/pedaço

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