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RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

compliant

RQ3E130BNTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14685 -
6,000 $0.13795 -
15,000 $0.12905 -
30,000 $0.12460 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI2367DS-T1-GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/pedaço
FQP7P20
FQP7P20
$0 $/pedaço
BSC119N03MSCG
CSD17581Q5A
CSD17581Q5A
$0 $/pedaço
RW1A030APT2CR
SI3459BDV-T1-GE3
IPD80R600P7ATMA1
STF23NM50N
STF23NM50N
$0 $/pedaço

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