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SIHK055N60EF-T1GE3

SIHK055N60EF-T1GE3

SIHK055N60EF-T1GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

não conforme

SIHK055N60EF-T1GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $9.46000 $9.46
500 $9.3654 $4682.7
1000 $9.2708 $9270.8
1500 $9.1762 $13764.3
2000 $9.0816 $18163.2
2500 $8.987 $22467.5
50 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 58mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3667 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 236W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK®10 x 12
pacote / caixa 8-PowerBSFN
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Número da peça relacionada

NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/pedaço
FQP7P20
FQP7P20
$0 $/pedaço
BSC119N03MSCG
CSD17581Q5A
CSD17581Q5A
$0 $/pedaço
RW1A030APT2CR
SI3459BDV-T1-GE3
IPD80R600P7ATMA1
STF23NM50N
STF23NM50N
$0 $/pedaço
IRF6894MTRPBF
DMN62D0UWQ-13

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