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RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

não conforme

RQ3E110AJTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
281 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta), 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IPA50R350CPXKSA1
IPB080N03LGATMA1
NTJS4405NT1G
NTJS4405NT1G
$0 $/pedaço
NVMFS5C450NLAFT1G
NVMFS5C450NLAFT1G
$0 $/pedaço
RQ6E085BNTCR
RQ6E085BNTCR
$0 $/pedaço
SQM120N04-1M7_GE3
BUK7S2R5-40HJ
BUK7S2R5-40HJ
$0 $/pedaço

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