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IPB080N03LGATMA1

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IPB080N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

não conforme

IPB080N03LGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.56793 -
2,000 $0.53007 -
5,000 $0.50356 -
10,000 $0.48463 -
15323 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 47W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTJS4405NT1G
NTJS4405NT1G
$0 $/pedaço
NVMFS5C450NLAFT1G
NVMFS5C450NLAFT1G
$0 $/pedaço
RQ6E085BNTCR
RQ6E085BNTCR
$0 $/pedaço
SQM120N04-1M7_GE3
BUK7S2R5-40HJ
BUK7S2R5-40HJ
$0 $/pedaço
NTMT190N65S3H
NTMT190N65S3H
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NTD65N03RT4G
NTD65N03RT4G
$0 $/pedaço

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