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RP1E090XNTCR

RP1E090XNTCR

RP1E090XNTCR

MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

não conforme

RP1E090XNTCR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor MPT6
pacote / caixa 6-SMD, Flat Leads
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Número da peça relacionada

FDPF041N06BL1
BSS84TC
BSS84TC
$0 $/pedaço
SI4104DY-T1-E3
SI4104DY-T1-E3
$0 $/pedaço
FDP3651U
AUIRFU1010Z
AUIRF2804
AUIRF2804
$0 $/pedaço
SPI80N06S-08
STF40NF03L
STF40NF03L
$0 $/pedaço
IXFH12N120
IXFH12N120
$0 $/pedaço
IRFRC20TR
IRFRC20TR
$0 $/pedaço

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