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IXFH12N120

IXFH12N120

IXFH12N120

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

não conforme

IXFH12N120 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $14.24500 $427.35
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFRC20TR
IRFRC20TR
$0 $/pedaço
ZXMN10A11K
ZXMN10A11K
$0 $/pedaço
STS5PF20V
STS5PF20V
$0 $/pedaço
IPA50R520CP
AUIRFR3806
NTB52N10G
NTB52N10G
$0 $/pedaço
NTD24N06G
NTD24N06G
$0 $/pedaço
FQAF22P10
FQAF22P10
$0 $/pedaço

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