Welcome to ichome.com!

logo
Lar

RJ1L12CGNTLL

RJ1L12CGNTLL

RJ1L12CGNTLL

NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1

compliant

RJ1L12CGNTLL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.46808 $3.46808
500 $3.4333992 $1716.6996
1000 $3.3987184 $3398.7184
1500 $3.3640376 $5046.0564
2000 $3.3293568 $6658.7136
2500 $3.294676 $8236.69
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 139 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7100 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 166W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

NTP30N06LG
NTP30N06LG
$0 $/pedaço
STB34N65M5
STB34N65M5
$0 $/pedaço
STB155N3LH6
STB155N3LH6
$0 $/pedaço
P3M173K0K3
FQA7N80
FQA7N80
$0 $/pedaço
BUK9E08-55B,127
IXFK64N60P
IXFK64N60P
$0 $/pedaço
SQJQ100EL-T1_GE3
SPU03N60S5IN
PSMN3R9-60PSQ
PSMN3R9-60PSQ
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.