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SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

compliant

SQJQ100EL-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.42650 -
6,000 $1.37700 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa PowerPAK® 8 x 8
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Número da peça relacionada

SPU03N60S5IN
PSMN3R9-60PSQ
PSMN3R9-60PSQ
$0 $/pedaço
SIHG35N60E-GE3
SIHG35N60E-GE3
$0 $/pedaço
CSD18511KTT
CSD18511KTT
$0 $/pedaço
NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/pedaço
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/pedaço
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/pedaço
DMP2305U-7
DMP2305U-7
$0 $/pedaço

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