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RJ1G12BGNTLL

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MOSFET N-CH 40V 120A LPTL

não conforme

RJ1G12BGNTLL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.06000 $5.06
500 $5.0094 $2504.7
1000 $4.9588 $4958.8
1500 $4.9082 $7362.3
2000 $4.8576 $9715.2
2500 $4.807 $12017.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.86mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12500 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 178W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTL
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STY139N65M5
STY139N65M5
$0 $/pedaço
P3M17040K3
SI8410DB-T2-E1
SI8410DB-T2-E1
$0 $/pedaço
IRFBC40APBF
IRFBC40APBF
$0 $/pedaço
SIHP22N60EL-GE3
IXFP18N60X
IXFP18N60X
$0 $/pedaço

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