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SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

compliant

SI8410DB-T2-E1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.50446 -
6,000 $0.48078 -
15,000 $0.46386 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 850mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 620 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 4-Micro Foot (1x1)
pacote / caixa 4-UFBGA
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Número da peça relacionada

IRFBC40APBF
IRFBC40APBF
$0 $/pedaço
SIHP22N60EL-GE3
IXFP18N60X
IXFP18N60X
$0 $/pedaço
SI1469DH-T1-GE3
BSS123Q-13
BSS123Q-13
$0 $/pedaço
IXTT50P10
IXTT50P10
$0 $/pedaço

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