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R6509ENXC7G

R6509ENXC7G

R6509ENXC7G

650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

não conforme

R6509ENXC7G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.92000 $2.92
500 $2.8908 $1445.4
1000 $2.8616 $2861.6
1500 $2.8324 $4248.6
2000 $2.8032 $5606.4
2500 $2.774 $6935
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 230µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 430 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220FM
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

DMTH4014LFVW-7
DMN4010LFG-7
DMN10H220LQ-13
FDS8449-G
UF4C120070K3S
UF4C120070K3S
$0 $/pedaço
IRFP451
IRFP451
$0 $/pedaço

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